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  • Procédés d’élaboration des dispositifs semiconducteurs

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    Semestre: 1

    Unité d’enseignement: UEF 1.1.2

    Matière 3: Procédés d’élaboration des dispositifs semiconducteurs

    VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)

    Crédits: 4

    Coefficient: 2

    Responsable de la matière d'enseignement :

    Dr Beghoul Mahmoud Riad

    Mail: beghoul@univ-jijel.dz

  • Chapitre 1 Généralités sur les semiconducteurs

  • Chapitre 2 Fabrication d'un monocristal de Silicium

  • Chapitre 3 Nettoyage de la surface du silicium pour la microélectronique

  • Chapitre 4 Techniques d’élaboration des couches actives

  • Chapitre 5 Photolithographie, Gravure et Métalisation

  • Application N°1

    Réalisation d’une diode à jonction pn

    En utilisant l'ensemble des étapes technologiques de fabrication élémentaires en microélectronique, permettant la réalisation de :

    - diodes,

    - transistors bipolaires,

    - transistors MOS.

    Donner les principales étapes permettant de fabriquer une diode à jonction pn.

  • Application N°2

    Procédé de fabrication d'un transistor bipolaire

    En utilisant l'ensemble des étapes technologiques de fabrication élémentaires en microélectronique, permettant la réalisation de :

    - diodes,

    - transistors bipolaires,

    - transistors MOS.

    Donner les principales étapes permettant de fabriquer un transistor bipolaire.

  • Références bibliographiques

    [1] A. Berezine, O. Motchalkina, ‘‘Technologie et construction des circuits intégrés’’, Edition Mir, 1986.

    [2] H. Mathieu, ‘‘Physique des semiconducteurs et des composants électroniques’’, Edition Dunod, 2009.

    [3] J-D. Chatelain ‘‘Dispositifs à semiconducteur’’, Traité d'Electricité, volume VII, Presses Polytechniques Romandes, 1986.

    [4] F. Lévy, ‘‘Physique et technologie des semiconducteurs’’, Traité des Matériaux, volume 18, Presses Polytechniques et Universitaires Romandes, 1995.

    [5] P. Leturcq, G Rey, ‘‘Physique des composants actifs à semiconducteurs’’, Edition Dunod, 1995

  • Section 21