Techniques de caractérisation des dispositifs à semiconducteurs
Topic outline
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Semestre: 2
Unité d’enseignement: UEF 1.2.2
Matière 3 : Techniques de caractérisation des dispositifs semiconducteurs
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crédits: 4
Coefficient: 2
Responsable de la Matière d'enseignement: Dr Beghoul Mahmoud Riad
Adresse mail: beghoul@univ-jijel.dz
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Le développement des techniques de caractérisation des matériaux semiconducteurs constitue le socle dans l’étude des dispositifs microélectroniques. Il est souvent utile d’avoir recourt à plusieurs techniques afin d’analyser les semiconducteurs et de déterminer les différents aspects régissant leurs propriétés, surtout qu’il n’existe pas une technique unique capable de fournir toutes les informations morphologique, électrique et optique nécessaires à une étude.
Le nombre de techniques disponibles actuellement et leur diversité permettent de réaliser des caractérisations complémentaires pour une analyse approfondie et précise des propriétés physiques des matériaux.
L’objectif de cette matière est de permettre à l’étudiant de comprendre le principe des techniques de caractérisation et leur intérêt dans le domaine des dispositifs à semiconducteurs. Déterminer la (ou les) méthode(s) de caractérisation à appliquer sur un échantillon semiconducteur afin d’en extraire les propriétés fondamentales souhaitées.
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Contact Métal/Semiconducteur
Techniques de caractérisation électrique
- I(C), C(V) et DLTS
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Chapitre 5 : Techniques de mesure de la concentration des porteurs libres et de leur mobilité dans un semiconducteur par la mesure de l’effet Hall
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Microscopie Electronique à Balayage(MEB), Microscopie à Force Atomique (AFM) et Spectroscopie Raman
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Groupes et planning des exposés par visioconférence
Microsoft Teams
ou
Google Meet
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