TP Physique des composants semiconducteurs 2

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  Généralités

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  TP03 Capacité de transition d’une jonction PN

  Objectif du TP : Détermination du dopage et de la tension de diffusion à partir d’une mesure C(V).

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• Sélectionner la section thématique TP04 Transistor à effet de champ à jonction JFET

  TP04 Transistor à effet de champ à jonction JFET

  Objectif du TP : Modélisation d'un transistor JFET à canal N en utilisant MATLAB

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