Procédés d’élaboration des dispositifs semiconducteurs

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  Procédés d’élaboration des dispositifs semiconducteurs

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  Semestre: 1

  Unité d’enseignement: UEF 1.1.2

  Matière 3: Procédés d’élaboration des dispositifs semiconducteurs

  VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)

  Crédits: 4

  Coefficient: 2

  Responsable de la matière d'enseignement :

  Dr Beghoul Mahmoud Riad

  Mail: beghoul@univ-jijel.dz
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  Application N°1

  Réalisation d’une diode à jonction pn

  En utilisant l'ensemble des étapes technologiques de fabrication élémentaires en microélectronique, permettant la réalisation de :

  - diodes,

  - transistors bipolaires,

  - transistors MOS.

  Donner les principales étapes permettant de fabriquer une diode à jonction pn.

  

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  Application N°2

  Procédé de fabrication d'un transistor bipolaire

  En utilisant l'ensemble des étapes technologiques de fabrication élémentaires en microélectronique, permettant la réalisation de :

  - diodes,

  - transistors bipolaires,

  - transistors MOS.

  Donner les principales étapes permettant de fabriquer un transistor bipolaire.

  
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  Références bibliographiques

  [1] A. Berezine, O. Motchalkina, ‘‘Technologie et construction des circuits intégrés’’, Edition Mir, 1986.

  [2] H. Mathieu, ‘‘Physique des semiconducteurs et des composants électroniques’’, Edition Dunod, 2009.

  [3] J-D. Chatelain ‘‘Dispositifs à semiconducteur’’, Traité d'Electricité, volume VII, Presses Polytechniques Romandes, 1986.

  [4] F. Lévy, ‘‘Physique et technologie des semiconducteurs’’, Traité des Matériaux, volume 18, Presses Polytechniques et Universitaires Romandes, 1995.

  [5] P. Leturcq, G Rey, ‘‘Physique des composants actifs à semiconducteurs’’, Edition Dunod, 1995
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