3ème chapitre du Cours de EPCE - ELN 21 _ Transistor Bipolaire _ S4 L2 ELN
3ème chapitre du Cours de EPCE - ELN 21 _ Transistor Bipolaire
Contenu
Dans
ce troisième chapitre du cours d’ELN 21 (EPCE), nous allons appliquer les
connaissances acquises dans les deux chapitres précédents, telles que le
dopage, le courant de diffusion, la jonction PN, la tension de diffusion, etc.,
à la réalisation et au fonctionnement du transistor bipolaire (transistor à
jonctions). Ce travail est fait en simplifiant au maximum les notions et les
lois qui régissent l’électronique.
365.4 KB PDF document