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  1. TP dispositifs (passifs/actifs RF et micro-ondes)
  2. TP_n°01_Simulation des S2P d'un MESFET sous ADS

TP_n°01_Simulation des S2P d'un MESFET sous ADS

Completion requirements
Lecture, affichage et étude sous 'ADS' des paramètres mesurés en fonction de la fréquence (1-26 GHz) d'un transistor  micro-ondes type Mesfet.
Click TP_n°01_Simulation des S2P dun MESFET sous ADS.pdf link to view the file.

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