TP dispositifs (passifs/actifs RF et micro-ondes)

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    Lecture, affichage et étude sous 'ADS' des paramètres mesurés en fonction de la fréquence (1-26 GHz) d'un transistor  micro-ondes type Mesfet.
    
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    Mesures et étude des paramètres de dispersion (matrice S) de quelques dispositifs micro-ondes réalisés en technologie microstrip.

    
    

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